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[青促会物理论坛(55)] 新型HfOx基铁电存储器
时间: 2019年09月09日 10:00
地点: 中国科学院物理研究所 M249会议室
报告人: 吕杭炳 研究员

中国科学院微电子研究所

传统存储器件无法同时具备高速度和高密度的特点,使得现有计算架构需要依赖由内存和外存构成的层次化存储结构来获得性能和容量的平衡,但同时也带来了不同层级存储器间频繁的数据搬运。由于不同层级存储器间存在巨大的性能差异,海量的数据搬运导致了计算效率下降与带宽瓶颈。基于新型HfOx基铁电材料的存储器为构建同时具备高速、高密度的融合型存储器提供了可能性。本报告将介绍两种基于HfOx基铁电材料新型存储器件:铁电二极管以及铁电晶体管。铁电二极管通过控制铁电材料的极化方向来调控二极管的开启方向,从而可以用于存储,进一步将其拓展至三维架构,使该类器件同时具备了高擦写速度和高集成密度;基于HfOx材料的铁电晶体管具有丰富的存储效应,一方面铁电HfOx材料中存在大量的电荷陷阱,使得铁电晶体管具有电荷俘获效应,另一方面极化状态的变化也可以于存储。由于铁电晶体管与MOSFET的高度兼容性,作为SOC系统中的嵌入式存储,具有广阔的应用前景。

报告人简介

吕杭炳,中国科学院微电子研究所研究员、微电子器件与集成技术重点实验室副主任、国际存储器会议(International Memory Workshop)技术委员会成员,2015年获得国家优秀青年基金资助、2017年入选中组部万人计划‘青年拔尖人才’、2018年入选中国科学院青年促进会优秀会员,目前主持国家重点研发计划、国家重大专项课题、自然基金重点等多个项目。主要致力于新型存储技术研究,在IEEE Electron Device Letters、IEDM、VLSI等微电子领域主流期刊和顶级会议上发表论文150余篇,SCI他引2500余次;获得中国发明专利授权30项,美国发明专利授权3项。与中芯国际、华力微电子、电网智芯、联想核芯等公司展开深入合作,以产学研合作方式转移转化新型存储器技术,设计基于自主知识产权的新型存储器产品。

联系人:葛琛 (82649478, gechen@iphy.ac.cn)

本次活动由中科院物理所青促会小组主办


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