Controllable growth of GeSi nanowires on trench patterned Si(001) substrate
论文编号:
第一作者:
Gao Fei
刊物名称:
ACTA PHYSICA SINICA
所属学科:
论文题目:
Controllable growth of GeSi nanowires on trench patterned Si(001) substrate
发表年度:
2020
卷:
期:
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