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SiC气相外延装置
专利名称:
SiC气相外延装置
专利类别:
实用新型
申请号:
202021178328X
第一发明人:
陈蛟
其它发明人:
杨军伟;宋华平;简基康;王文军;陈小龙
专利授权日期:
2021-03-02
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