中国科学院微电子研究所

报告摘要：   

发展大算力芯片是当前我国集成电路领域的主要目标之一，也是国际科技竞争的焦点和热点。其中，研制高密度、高带宽的三维动态随机存储器(3D-DRAM)是研制大算力芯片的关键之一。基于氧化铟(In2O3)体系的氧化物半导体晶体管因其具有良好的开关特性、易于三维集成的可制造性而成为未来3D-DRAM的重要选择。然而氧化铟晶体管的可靠性问题比较突出，在电应力作用下表现为较为严重的阈值电压偏移现象，阻碍了器件的发展和应用。本次报告主要介绍本团队近期在理解和克服氧化铟器件可靠性问题上的一些进展，包括(1) 氧缺陷的理解；(2) 锗掺杂技术；(3) 新型结晶处理方法。

报告人简介：

王盛凯，中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师、教育处长。2006年获哈尔滨工业大学学士学位，2011年获东京大学博士学位；长期从事半导体MOS器件与集成技术研究。在IEDM、VLSI、IEEE TED等期刊和会议发表论文120余篇、出版专著和译著3部，申请国内外发明专利100余项，授权50余项、对外许可8项，主持国家自然科学基金、科技部重点研发计划、中科院仪器装备项目等十余项，现担任国际介电薄膜会议国际委员、Taylor&Francis书系“Frontiers in semiconductor technology”主编，曾获2021年青促会优秀会员、2019年北京市技术发明二等奖、2011 IWDTF Young Researcher Award等。

报告地点：中国科学院物理研究所，A楼332会议室

联系人：邓震（82649296，zhen.deng@iphy.ac.cn）

本次活动由中科院青促会物理所小组主办