学术报告
题目: [青促会物理论坛(131)] 硅基电光调制技术的革新蓝图
时间: 2024年11月06日 11:15
报告人: 张巍巍

报告人简介:

张巍巍,松山湖材料实验室研究员,硅光子通信与传感团队负责人,获资国家自然科学基金优秀青年科学基金项目。曾任职于南安普顿大学,永久职位岗高级研究员,先后参与欧盟FP7、H2020、EU Photonics Hub等多个集成硅光子项目。研究领域聚焦于硅光子高速通信器件与高密度集成,近年来在面向下一代低功耗、高带宽的微型高速硅光子器件方面开展了系统性的研究工作。相关成果先后发表在Nature Photonics,Optica,ISSCC等国际权威期刊及国际会议累计发表论文及报告200余篇次,申请5项国际专利。

报告摘要:

硅基电光调制技术具有巨大的潜力,能够满足通信和计算领域迅速增长的带宽需求,是未来光电融合技术的核心之一。本次报告聚焦于作者在硅基电光调制器方向的研究进展及未来技术革新的思考,具体包含4个方面:

(1)微型全硅电容波导电光调制器及其与低压驱动器的集成;

(2)载流子电吸收增强的微环调制技术;

(3)大规模高带宽密度微环无纠错链路;

(4)硅基二次电光效调制器在空间和量子通信的潜力。

Integrated electro-optic modulators offer huge potential to meet communications and computations' rapidly growing bandwidth requirements. Devices based on silicon allow high-volume, low-cost CMOS fabrication, and co-integration with the CMOS circuits. They are promising candidates for mass-producible Tb/s-scale inter-rack and intra-rack interconnects. This talk will focus on our advancement of silicon-based optical modulators: (1) miniaturized all silicon MOSCAP modulators for co-packaged optics and its integration with low voltage drivers, allowing low optical power consumption of 2 pJ/bit. (2) Novel carrier absorption enhanced electro-optical modulation in MOSCAP ring resonators towards integration with ultra-low voltage (<1V) CMOS drivers; (3) Carrier depletion ring unity device for large scale and high bandwidth density error-free link

报告地点:中科院物理研究所A楼332报告厅

邀请人: 张建军(电话:9869 )

报告联系人:王子昊 (82649896, wangzihao@iphy.ac.cn)

本次活动由中科院物理所青促会小组主办