中国科学院半导体研究所半导体芯片物理与技术重点实验室

报告摘要：

当前，2纳米半导体工艺节点即将实现量产，CMOS（互补金属氧化物半导体）晶体管的源漏间沟道物理长度只剩14纳米，根据国际路线图，晶体管沟道的物理长度将停滞在12纳米的物理极限尺寸，“摩尔定律”即将失效。进入“后摩尔时代”的半导体技术已经从原先单纯追求器件尺寸微缩提升集成密度，扩展到同时追求功能性集成；技术路线按照“延续摩尔”（More Moore）、“扩展摩尔”（More Than Moore）和“超越摩尔”（Beyond Moore）3个不同维度继续演进，急需发展突破CMOS器件性能瓶颈的新材料、新结构、新理论、新器件和新电路，面临众多“没有已知解决方案”的基本物理问题挑战。在本报告中将介绍我们近期在突破硅晶体管物理瓶颈方面的一系列理论研究进展，包括解释费米钉扎效应新机制提出解决接触电阻瓶颈新方案，GAA晶体管空穴迁移率退化问题，以及可克服高k介电层材料和铁电晶体管瓶颈的光学声子软化新理论。同时，还将介绍硅基比特材料理论设计方面研究进展。

报告人简介：

骆军委，中国科学院半导体研究所研究员，半导体芯片物理与技术重点实验室主任，2014年入选国家高层次人才青年项目，2019年获得国家杰出青年科学基金，2021年获中科院首批稳定支持青年团队资助。2000年和2003年在浙江大学物理系分别获得学士和硕士学位，2006年在中国科学院半导体研究所获得理学博士学位，2007年至2014年在美国可再生能源国家实验室先后任职博士后、Scientist和Senior Scientist，2014年全职回国工作。长期从事半导体物理与器件物理研究，在解决硅基发光世界难题和硅基量子计算材料方面取得多项原创性研究成果，包括揭示硅量子点难以高效发光的物理根源否定了硅量子硅基发光方案，提出掺杂应变锗直接带隙发光的硅基发光原创方案，提出隐藏自旋极化新理论并启发众多新隐藏物理的发现等。已发表论文120余篇，包括以第一或通讯作者发表在Nature(1)、Nature Physics(1)、Nature Nanotechnology (1)、PRL(7)、Nature Communications(3)、Science Advances(1)、PNAS(1)等，担任32届半导体缺陷国际会议和22届多元化合物国际会议共同主席。

地点：物理所M楼236

腾讯会议ID：869-488-171

邀请人：张建军 钱天

联系人：赵薇

电话：15027515587