浙江大学光电科学与工程学院

摘要：

介电常数近零点(Epsilon near zero，简称为ENZ)材料是指那些在特定波长（λENZ）下介电常数的实部趋向于零的材料。近年来，ENZ材料因其新颖的特性，如局域电场增强、强烈的光学非线性响应而被广泛应用于纳米光子学、等离子体光子学、超材料等领域。现有的ENZ材料包括贵金属（金、银）、透明导电氧化物（ITO、AZO）、掺杂半导体（硅、锗）等，它们的λENZ分别位于可见、近红外、中红外等区域。另外，聚合物材料如PEDOT：PSS也表现出了独特的ENZ特性，有望在柔性光电子器件等方面发挥优势。本报告将聚焦于研究团队近年来利用多种材料实现可见-中红外的超宽光谱范围内的介电常数近零波长调节，通过材料生长、结构设计和性能表征等手段获得了具有宽带完美吸收、灵敏分子探测、超快电光调制，以及高光学非线性调制等功能的器件。

简介：

叶辉，浙江大学光电科学与工程学院教授，博士生导师。1990年毕业于浙江大学材料系，1995年毕业于中国科学院上海光学精密机械研究所，获得工学博士学位。同年进入浙江大学光电信息系光电显示技术研究所工作，2005年晋升教授。曾经于1998年至2001年分别在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料系，香港理工大学应用物理系担任访问学者。曾经作为申请者获得多项国家973科技项目，国家自然科学基金项目，浙江省自然科学基金重大、重点项目以及华为基金等科研资助，出版《光学材料与元件制造》专著，作为第一和通讯作者发表过SCI论文八十余篇及十余项发明专利。目前主要从事硅基集成光电材料及器件；功能薄膜器件以及铁电、压电薄膜的生长与性能研究工作。

地点：中科院物理所M238会议室

邀请人：李运良 副研究员（Tel：82649970）

主办单位：中国科学院光物理重点实验室