北京航空航天大学

报告摘要：

高阶拓扑绝缘体是近几年提出的一类新奇拓扑物态。我们计算预测已经在实验上合成的石墨炔是一个二维二阶拓扑绝缘体材料，构建了第二类Stiefel-Whitney数（实陈数）与二阶拓扑绝缘体之间的联系[1,2]，提出了一类磁性二维二阶拓扑绝缘体的普适构建方案，并预言Bi/EuO结构是磁性二维二阶拓扑绝缘体[3]。拓展到三维，预测三维石墨二炔是三维二阶实陈数节线半金属[4]，三维石墨一炔则是三维二阶实陈数拓扑绝缘体[5]。在非线性霍尔效应领域，提出外尔半金属可增强本征非线性平面霍尔效应。通过模型研究，我们发现增强效应主要源于轨道贡献，基于第一性原理计算，在材料CuTlSe2中计算了这些特性[6]。

[1] X.-L. Sheng, et al., Phys. Rev. Lett. 123, 256402 (2019).

[2] C. Chen, et al., Phys. Rev. B 104, 085205 (2021).

[3] C. Chen, et al., Phys. Rev. Lett. 125, 056402 (2020).

[4] C. Chen, et al., Phys. Rev. Lett. 128, 026405 (2022).

[5] X.-T. Zeng, et al., Phys. Rev. B 108, 075159 (2023).

[6] F. Yang, et al., arXiv:2504.19664.

报告人简介：

胜献雷，北京航空航天大学物理学院，教授，博导。2011年博士毕业于中国科学院大学，先后在美国加州州立大学、中国科学院物理研究所、美国特拉华大学和新加坡科技设计大学做博士后或访问学者。2015年入职北航物理学院，长期从事计算凝聚态物理研究，尤其是材料拓扑物性、磁性与输运性质的计算研究，在PRL，Nature Comm，PRB等期刊发表SCI论文60余篇。

邀请人：谌志国

电话：82649030

地点：物理所M楼631

腾讯会议ID：795-238-455