香港大学

报告人简介：

香港大学机械工程系未来电子讲席教授,香港大学物理系礼任讲席教授,香港大学微电子研究中心主任,前台积电技术研究处处长,英国皇家化学会会士,美国化学会奈米短评(Nano Letters)副编辑。1994及1996年获得台湾大学化学学士(BSc)及硕士(MSc)学位。1997-2002 年间任职于台积电资深研发工程师,2006年英国牛津大学凝态物理博士并加入新加坡南洋理工大学任助理教授,2010年任中央研究院担任副研究员,2014年加入沙特国王科技大学,2016年升任正教授, 2017年底任台积电技术研究处处长, 2021年加入香港大学任讲席教授。研究领域为化学气相沉积CVD和工具设计,器件制造和集成,二维半导体材料生长(石墨烯、氮化硼、二硫化合物等)。目前拥有超过60个美国专利。2018-2023全球高被引学者; 发表>500篇论文, 引用>84000次, H指数134  (AD Sci Index)。

报告摘要：

在先进逻辑器件中随着晶体管尺寸继续缩小，源极漏极隧道效应越加明显，晶体管栅极的可控性变弱。因此，必须减少晶体管本体的厚度以确保有效的栅极控制。如"超薄"的二维半导体等新材料引起了关注。各大半导体公司也加大这一方向的研究力度,我将对二维半导体材料与先进硅基鳍式场效晶体管(FinFET 16nm, 7nm)及环绕式栅极晶体管(GAA 1nm)进行电路分析，讨论在先进的技术节点中使用平面二维半导体晶体管优于Si FinFET（或GAA）的好处, 包含速度更快,能耗更低等。 同时，我们也将讨论2D半导体在材料生长上最关键的缺陷问题，如何能长出高质量符合未来电子学需要的二维半导体，以及制作晶体管的几个关键问题包含金属接触, high-k 介电层等等之研究进展情况。

报告地点：中国科学院物理研究所M楼253会议室

邀请人：陈  震（8264 9878）、苏  东（8264 9555）

联系人：胡颖（8264 9361）