拓扑光子学在近十几年得到了广泛的关注及研究，尤其是在拓扑边界态的应用研究上取得了重要的进展，例如单向传输、拓扑激光等。除了边界态外，最近国内外很多课题组提出在高阶拓扑绝缘体中存在零维拓扑角态，并且已经在多种体系中实现，包括二维的光子晶体结构。这种零维的高阶拓扑态为设计具有高品质因子的拓扑光学微腔提供了一个新的平台。拓扑光学微腔不仅具有高品质因子、低模式体积，而且其模式受拓扑保护，因此对它的研究将会促进拓扑光学在腔量子电动力学、量子信息处理及新型光学器件等方面的应用。

　　近日，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心光物理重点实验室许秀来研究员课题组，金奎娟研究员以及王灿研究员与北理工张向东教授，中科院半导体所牛智川研究员、倪海桥研究员合作设计并制备了基于二阶拓扑角态的二维拓扑光子晶体微腔，通过与量子点集成，在二维拓扑光子晶体微腔中首次实现了低阈值激光及其与量子点弱耦合的Purcell效应。中科院物理所谢昕和北京理工大学张蔚暄为共同第一作者。

　　在二维光学体系中，Wannier类型的零维拓扑角态可以由非平庸的边界偶极子极化引入，它可以通过结合两种具有相同能带和不同拓扑相位的光子晶体实现。北京理工大学张蔚暄博士和张向东教授基于这种Wannier类型的零维拓扑角态设计了一种二维拓扑光子晶体微腔，并优化了这种微腔的品质因子，如图1所示。这种二维拓扑光子晶体微腔具有高品质因子和低模式体积，能提供很强的光束缚能力，可以大大提高光与物质的相互作用，因此可用来研究腔量子电动力学及实现低阈值激光等光学器件。中科院物理所许秀来课题组及合作者，在含有不同密度的InGaAs量子点样品上制备了不同参数的拓扑微腔，并研究了它们的光学特性，如图2所示。在高点密度的样品上，他们观测到了基于拓扑角态的低阈值激光，如图3（a）（b）所示，阈值约为1μW，这比目前利用拓扑边界态实现的拓扑激光要小三个数量级左右。这种拓扑激光的高性能来源于拓扑角态的高品质因子和低模式体积，它将拓扑光学的应用缩小到纳米尺度，证明了这种拓扑光子晶体微腔在拓扑纳米光学器件上的应用前景。另一方面，在低点密度的样品上，通过调节温度使单个量子点与拓扑角态共振，观测到了量子点荧光强度约4倍的增强，然后进一步测量了共振与非共振状态下量子点的荧光寿命，观测到了共振状态下自发辐射速率的增强，从而证实了单量子点与拓扑微腔弱耦合的Purcell效应，如图3（c）（d）所示。这是首次利用拓扑微腔研究腔量子电动力学，为之后拓扑量子光学界面的研究打下了基础。同时由于这种拓扑光子晶体微腔易于集成，它对未来拓扑光学在量子信息处理及拓扑光学器件等领域的发展具有重要意义。相关结果分别发表在近期的Light: Science & Applications及Laser & Photonics Reviews杂志上。

　　该工作得到了国家自然科学基金（批准号：11934019, 11721404, 51761145104, 61675228, 和11874419），国家重点研发计划（批准号：2017YFA0303800 和2018YFA0306101），广东省重点研发项目（批准号：2018B030329001），中科院B类先导专项（专项编号：XDB28000000），中科院科研仪器设备研制项目（项目编号：YJKYYQ20180036），中科院创新交叉团队的支持。

图1.（a）拓扑光子晶体微腔示意图。（b）拓扑光子晶体的能带结构图。（c）零维拓扑角态的电场分布。（d）拓扑角态品质因子及频率随g（两种光子晶体结构之间的距离，如插图所示）的变化。

图2.（a）共聚焦实验装置图。（b）不同位置的荧光光谱。（c）来自于不同g的微腔的光谱。（d）含有不同数量的缺陷的微腔的荧光光谱。

图3. （a,b）拓扑激光。拓扑角态荧光强度（a）和线宽（b）随激发功率的变化。阈值约为1μW 。（c,d）单个量子点与拓扑角态的弱耦合。(c)不同温度下的荧光光谱。当量子点（QD）与腔共振时，荧光强度增强约4倍。（d）共振（红色）与非共振（黑色）状态下的荧光衰减曲线。共振时的衰减速率约为非共振时的1.3倍。

文章链接：
https://www.nature.com/articles/s41377-020-00352-1
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/lpor.201900425