1月9日，在国家科学技术奖励大会上，我所作为第一单位完成的“原子分子操纵、组装及其特性的STM研究”项目荣获2008年度国家自然科学二等奖，项目主要完成人为：高鸿钧(中科院物理所)、宋延林(中科院化学所)、时东霞(中科院物理所)、张德清(中科院化学所)、庞世瑾(中科院物理所)。中国科学院院长路甬祥发来贺信表示祝贺。
    该获奖项目属物理科学中的应用基础研究。围绕低维纳米结构材料的组装机制及其功能特性，本项目自1993年起系统研究了材料表面的结构特性及其原子分子操纵和纳米加工、纳米结构的组装、生长和功能特性，取得了一系列在国际上有影响力的创新性成果。如提出了一种提高STM观察材料表面精细结构及其电子结构的新途径，得到了自STM发明以来最高分辨的Si(111)7×7的STM图像，首创“大电流法”操纵提取原子，在硅表面实现了原子级平整沟槽的纳米加工；建立了Ge在Si(111)7×7表面上初期吸附的“替代机制”，解决了Ge在Si(111)7×7表面上初期吸附位置长期以来悬而未决的问题，揭示了金属纳米粒子成核生长的动力学机制；实现了单分子操纵，在国际上首次在单个分子的水平上实现了电导转变及其超高密度的信息存储。以上工作得到了包括诺贝尔奖获得者J. Polanyi和G. Binnig以及其他国际科研机构的高度赞誉。
    本项目在SCI收录的重要国际学术刊物上发表论文55篇，其中Physical Review Letter 3篇， Advanced Materials 8篇， Journal of American. Chemical Society 2篇；国际专著4本/章节。论文被他人SCI引用785次，其中10篇代表性论文被他人SCI引用251次。项目组主要人员在重要国际学术会议上做邀请报告20余次，如：美国物理年会March Meeting等。这些成果对功能纳米结构的构筑和纳米器件的前沿基础研究具有重要的科学意义。