清华大学集成电路学院

报告摘要：

新型片上非易失性存储器有望解决大数据时代“存储墙”问题。其中利用自旋状态存储信息的磁随机存储器（MRAM）具有高密度、无限次读写操作等优点，是后摩尔时代通用型存储器的重要技术路径。近年，基于自旋轨道转矩新机理的磁性器件受到广泛关注。本报告将以两种不同的方法为例，汇报如何调控自旋轨道转矩的对称性，以实现更有效的电流驱动磁矩翻转：（1）在5d过渡金属氧化物体系，我们通过晶格结构的设计，实现了具有面内各向异性的自旋霍尔角；（2）在一种非共线反铁磁体系中，我们通过磁结构的设计，得到了具有面外自旋极化方向的自旋轨道转矩。

报告人简介：

南天翔，清华大学集成电路学院助理教授、特别研究员。2015年博士毕业于美国东北大学电子工程系，获国家优秀自费留学生奖学金。2015至2019年分别在美国威斯康辛大学麦迪逊分校和美国康奈尔大学作博士后研究。2020年入选《麻省理工科技评论》中国“35岁以下科技创新35人”。主要研究方向包括自旋电子器件、射频微机电系统等。

邀请人及联系人：鲁年鹏 副研究员（电话：82649122）