报告摘要：常见的Kohn- Sham DFT计算方法在计算常见的半导体材料的时候往往会低估材料带隙。一般认为，DFT计算得到的总能量关于电荷数目的导数即为电子的本征能量，这一部分的能量在分子体系中可以用delta-scf 的计算方法得到，从而计算分子中电子的本征能量。在固体材料中，由于计算方法的差异，我们无法直接往计算体系中增加电子，需要使用微扰的方法进行，Linear-Response LDA+U 方法是其中的一种方法，我们使用Wannier 函数的方式，直观地在主族元素化合物中进行增加或减少电子的计算，从而得到与实验结果更接近的电子结构。

报告人简介：翁谋毅，博士，清华大学2015年本科毕业，北京大学2020年博士毕业，主要研究内容包括平面波第一性原理的计算方法，锂离子电池正极材料的第一性原理计算，材料数据库等；并在Nature 子刊，JPCL 等期刊发表论文40余篇。

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