苏州大学 教授

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报告摘要：

拓扑和对称性破缺在描述物相方面具有至关重要的作用。轴子绝缘体是一种时间反演对称性破缺的新型拓扑物态，和普通绝缘体相比，它拥有一些独特的电磁响应，例如量子化的拓扑磁电响应和半量子化的表面霍尔响应，因而近年来受到广泛关注。目前，轴子绝缘体相关实验研究非常多，但是缺乏明确的实验探测方案。本报告中，我们将首先介绍了其研究团队发现的轴子绝缘体中存在的一种由磁性杂质诱导的类量子霍尔效应的普适安德森相变行为，并提出Chalker-Coddington网络模型来解释该相变，这一普适相变行为的发现为实验上探测轴子绝缘体提供了新的理论方案。随后阐明了在轴子绝缘体中存在分数边缘激发——半整数边缘流，研究发现半量子化边缘流起源于狄拉克电子在具有能隙的表面上发生散射时经历的古斯汉欣位移。最后提出了一套基于半磁性拓扑绝缘体的半量子化霍尔电导输运理论，同时揭示了退相干效应对实现半量子化霍尔电导的重要性。

Refs:

[1] Hailong Li, Hua Jiang, Chui-Zhen Chen*, and X. C. Xie*, Phys. Rev. Lett. 126, 156601 (2021).

[2] Ming Gong, Haiwen Liu, Hua Jiang*, Chui-Zhen Chen*, and X. C. Xie*, Natl. Sci. Rev., nwad025 (2023).

[3] Humian Zhou, Hailong Li, Dong-Hui Xu, Chui-Zhen Chen*, Qing-Feng Sun, and X. C. Xie*, Phys. Rev. Lett. 129, 096601 (2022).

报告人简介：

陈垂针，苏州大学物理科学与技术学院教授，博士生导师。2015年于中国科学院物理研究所获理论物理学博士学位。2015-2018年在香港科技大学物理系从事博士后研究。2019年1月加入苏州大学物理科学与技术学院。主要从事电子输运理论，特别是安德森相变临界点附近的电子输运理论，在国际物理学期刊表论文32篇，包括第一/通讯（含共同）作者Phys. Rev. Lett.5篇，Natl. Sci. Rev.1 篇等。主持国家自然科学基金面上项目、江苏省双创人才项目各1项。

邀 请 人：吴泉生 特聘研究员

联 系 人：王慧颖 why@iphy.ac.cn