（上海交通大学）                               

报告摘要：

近些年来，二维量子材料因其具有新奇的物态和相变引起了人们的极大关注。由于量子限域效应，这些材料通常表现出三维材料所不具备的物性和物态，并且容易受到外部因素(如磁场、掺杂和插层)的调控和影响，这使得新型二维量子材料的制备和物态调控成为当前诸多领域的前沿课题。二维量子材料的许多新奇物态，比如超导和电荷密度波(CDW)序，通常由一个包含相位和振幅的序参量来描述，并且易受相位和/或振幅的涨落影响。在攻读博士期间，本人在完善了双线圈互感(TCMI)技术中的数据分析方法的基础上，深入研究了相位涨落对表面吸附K原子的多层FeSe薄膜(K/FeSe)材料中BKT相变和In插层的2H-TaSe₂(In_0.58TaSe₂)中CDW相变的影响。所取得的成果： = 1 \* GB2 ⑴通过数值建模，为高效并准确获取超导薄膜的超流密度打下了扎实的基础。 = 2 \* GB2 ⑵通过理论拟合K/FeSe薄膜的BKT相变过程，揭示了主导该薄膜体系中BKT相变和超导相变的主要因素，同时并发现了二维量子临界点存在的迹象，这些结果为理解FeSe界面超导提供了重要线索。 = 3 \* GB2 ⑶对In_0.58TaSe₂进行的STM测量表明，多种CDW相之间存在一种新的共存模式，该模式对于CDW序的形成和稳定性具有重要影响。

围绕(准)二维量子材料中新奇物性和物态, 我将从三方面扼要叙述未来拟开展的研究：包括金属元素插层的过渡金属二卤化物(TMDs)的研究，金属元素插层的外延石墨烯薄膜的研究以及铁基超导薄膜的上临界场H_c2(T)变化行为的机制研究。

报告人简介：

刘宁宁，上海交通大学博士，从事低维量子材料的物性和物态调控，尤其是二维量子材料中相位涨落效应的研究； 师从刘灿华和贾金锋教授。

邀请人：张坚地 研究员