北京航空航天大学
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报告摘要：
基于自旋轨道矩（SOT）的新一代存储和逻辑器件利用电子的自旋自由度作为信息载体，具有数据非易失，低功耗及高速等优势，是后摩尔时代新器件发展的一个重要方向。受限于传统自旋材料的高对称性，SOT存储器件需借助外磁场来实现垂直磁矩的确定性翻转即信息的确定性写入，这显著增加了器件复杂性和成本。为实现无外场辅助的全电学SOT器件，具有结构对称性破缺的薄膜材料体系由于可诱导非传统SOT而受到广泛关注。我们分别基于镜面对称性破缺的第二类外尔半金属WTe2、亚晶格对称性破缺的线性反铁磁Mn-2Au、以及人工可控的成分梯度合金TaxTi1-x作为SOT层，实现了垂直磁矩的全电学确定性翻转，同时探讨了非传统SOT在磁矩翻转过程中的关键作用以及人工梯度合金在SOT调控方面的优势。最后我们设计了基于人工调控自由度更高的TaxTi1-x/CoFeB/MgO异质结的自旋逻辑器件。
报告人简介：
史书园，北京航空航天大学教授，北京市科技新星。本科毕业于哈尔滨工业大学英才学院电子信息科学与技术专业，博士毕业于新加坡国立大学，2019-2021年于新加坡国立大学从事博士后研究，先后在韩国科学技术院及美国橡树岭国家实验室交流访问。从事拓扑信息材料、自旋电子材料及其异质结相关的自旋电子学现象与器件研究。获2019年国际磁学与磁性材料大会（MMM）最佳口头报告奖(1名每年)，2020年新加坡微电子学会奖(1名每年)等。以第一作者（含共一）或通讯作者在Nature Nanotechnology, Nature Materials, Nature Communications, Advanced Materials, Advanced Functional Materials等期刊发表论文，申请美国/国内专利4项。
邀 请 人：刘永昌 特聘研究员
联 系 人：王慧颖 why@iphy.ac.cn