报告摘要：

基于斯格明子和手性畴壁等拓扑自旋结构的信息技术可以通过电流来完成读和写的操作，具有速度快、非易失性、低能耗等一系列优势，在磁性存储、逻辑运算、量子计算机甚至国防军事等方面都有重要的应用前景。本报告介绍课题组在多种材料中不同驱动方式下斯格明子和畴壁动力学方面的理论研究进展，并比较了它们的优劣。涉及的材料包括铁磁、反铁磁、合成反铁磁和外尔半金属等，驱动方式包括面内电流注入STT驱动，垂直电流注入STT驱动，SOT驱动以及磁各向异性梯度驱动等。

个人简介:

赵国平，四川师范大学二级教授，IEEE 高级会员，国务院政府津贴专家，四川省学术技术带头人，省突出贡献专家，成都市首届蓉城英才创新领军人才，中国科学院大学兼职博士生导师。本科毕业于中国科学技术大学近代物理系，2003年获新加坡国立大学物理学博士。

研究方向：

主要研究领域：磁学和自旋电子学、纳米磁性材料。在Phys. Rev. Lett, Adv. Mater, Phys. Rev. B和Appl. Phys. Lett等期刊发表SCI论文100余篇，被引用3000余次，获四川省自然科学二等奖和科技进步三等奖各1次（均排名第一）。被Nature electronics和Phys. Rev. Lett等30多个期刊聘为审稿专家，担任多个SCI期刊编辑、客座编辑和客座主编。

报告地点：中科院物理研究所M楼253会议室

邀请人：刘恩克（82649085，ekliu@iphy.ac.cn）

        胡凤霞（82649233，fxhu@iphy.ac.cn）