北京应用物理与计算数学研究所

报告摘要：

含过渡金属、镧系和锕系元素的关联电子材料，因其复杂的电子相互作用机制，成为现代凝聚态物理领域的研究热点。压力调控作为研究关联电子材料的重要手段，在发现新奇量子物态及揭示其物理机理方面具有重要意义。本报告介绍了一种基于双屏蔽介电模型的第一性原理计算方法，无需引入经验参数，即可定量描述从常压至数百 GPa 高压范围内的电子关联效应。

该方法被应用于3d过渡金属、4f/5f稀土金属及其化合物的宽压域物性模拟，阐明了压力依赖的电子关联强度与材料物性演变之间的关联规律。理论模拟得出电子关联强度随压力变化的关系，并据此模拟了材料的冷压特征线、相变压力、电子结构等关键物性，相较于常规第一原理修正算法，取得了从定量到定性的显著提升。

通过分析模拟结果，发现UH3、Pr等典型f电子体系中，关联强度的压致变化通过调控f电子与环境电子的杂化强度，影响了高压相结构；在 NiO、MnO等过渡金属氧化物中，关联强度的压敏特性通过改变磁序，导致金属 - 绝缘体相变的压力阈值发生偏移。本研究论证了宽压域条件下压力依赖电子关联效应建模的必要性，同时验证了双屏蔽模型在关联电子体系电子结构模拟中的方法论优势。

报告人简介：

王越超，北京应用物理与计算数学研究所特聘副研究员。2017年于北京大学化学与分子工程学院获博士学位；2017-2020年于北京大学化学院从事博士后工作，并获得博新计划资助；2020-2022年为北京应用物理于计算数学研究所在站博士后。主要从事强关联电子体系第一性原理方法与宽压域材料物性模拟方面的工作，参与发表相关论文30余篇。

邀请人：吴泉生特聘研究员

联系人：何露 helu@iphy.ac.cn

报告地点：中关村园区M楼830会议室

腾讯会议：799 558 031

会议密码：0620