中国科学院高能物理研究所

摘要：

随着光电子器件集成度的提高，器件缩小到纳米尺度，量子效应显示出 来，主导了低维材料和器件的性能。为了研究低维材料与器件的结构与性能之间的关系，北京高能光源（HEPS）设计了低维结构探针线站（LoDiSP），提供以相干表面X射线散射为核心的一系列方法，为低维材料与器件的研究提供了强有力的支撑平台。在其后实验站，我们将发展和应用倏逝波调制技术，解决复杂功能化合物的应用瓶颈问题，打通复杂化合物功能材料走向类硅工业化应用的道路，并开展低维量子相变研究。同时，本报告还将介绍倏逝波对薄膜生长形貌的调制效应。

简介：

王焕华，中科院高能所研究员，中国科学院大学岗位教授；1995年在山东大学物理系获得学士学位，2001年在中科院物理所获得博士学位，2001－2003年在康奈尔大学应用与工程物理系做博士后；从事同步辐射X射线散射、衍射和反射方法的技术发展与应用研究，主持完成了北京同步辐射装置漫散射实验站（BSRF-1W1A）的升级改造和高能光源低维结构探针（HEPS-LoDiSP）的设计与建设；在中国科学院大学教授《X射线晶体学（近代物理方向）》和《现代X射线物理：原理与应用》，撰写了《现代X射线晶体学导论》（年底出版），担任表面X射线和中子散射会议国际顾问委员会（SXNS IAC）委员、国际反射学标准开放组织（ORSO）委员、中国物理学会固体缺陷委员会委员兼华北区副秘书长等；发明了系统消光材料的设计方法，提出了薄膜生长模式的倏逝波调制效应。

地点：中科院物理所M249会议室

邀请人：葛琛 研究员（Tel：82648612）

主办单位：中国科学院光物理重点实验室