报告简介

结合电子自旋属性的磁逻辑器件兼有逻辑运算和非易失存储功能，被认为是后“摩尔定律”时代有望大幅提升微电子器件性能的关键纳米技术之一。特别是，基于磁畴壁的磁逻辑器件，具有速度快、存储密度高、功耗低等优点，而且可以与正在发展中的磁畴壁赛道存储器相兼容。我们利用界面DM相互作用引起的手性耦合，实现了一种电流驱动的磁畴逻辑器件。由于DM相互作用的存在，水平磁化与垂直磁化相邻区域的磁矩之间会存在手性耦合作用。基于手性耦合原理，我们设计并实验上实现了NOT门、NAND/NOR门、磁畴注入器、磁畴二极管等新原理自旋电子学器件，并且通过级联的方式把多个逻辑门组合成加法器、减法器等更复杂的逻辑功能。最近，我们还基于电压调控磁各向异性机制，实现了电压编程的逻辑运算，探索了其在神经网络中的应用，并在亚铁磁系统中获得了更高的磁畴操作速度。

报告人简介

罗昭初，北京大学物理学院研究员、助理教授、博士生导师。2012年和2017年分别本科和博士毕业于清华大学，2017年进入瑞士苏黎世联邦理工学院-保罗·谢尔研究所从事博士后研究，2021年加入北京大学物理学院凝聚态所应用磁学中心， 2023年在日本东北大学作为访问教授。罗昭初的研究方向是微纳磁电子学，这是物理、材料和微电子多学科交叉的研究领域，不仅涵盖了前沿的物理和新奇的材料，而且具有广泛的产业化应用前景。代表性工作先后发表在Nature、Science、Nature Physics、Science Advance、Nature Communications、Advanced Materials等期刊，多次受邀在美国物理学会会议、磁学与磁性材料会议等重要会议上做邀请报告。

会议地址：中国科学院物理研究所 M253会议室

邀请人：万蔡华 (82648063, wancaihua@iphy.ac.cn)