德国汉诺威大学

报告摘要：

1962年，美国的三个研究小组（IBM，GE和MIT）分别独立地实现了半导体材料中的受激辐射光放大效应。在之后的几十年里，半导体光电子研究和产业化在“第一次量子革命”中取得了极大的进展。如今，半导体光电器件（激光、发光二极管等）在数字媒体、传感、照明、精密测量以及光通讯领域发挥着不可替代的重要作用。近年来，随着中国、欧洲、日本以及美国相继利用国家意志来支持新一代量子技术的研究，我们发现目前已经身处所谓的“第二次量子革命”洪流之中。那么，作为半导体物理、材料和器件的研究者，我们迫切需要思考如何将经典半导体器件领域（激光、二极管、芯片等）的经验和知识转化到新一代量子器件（基于量子纠缠等新颖物理现象）的研究和开发工作中。本次报告将先简短回顾半导体量子光学领域的发展历史、遇到的挑战、以及目前的一些前沿工作，其次将介绍本组在过去几年的相关结果，最后与大家一起展望半导体材料和器件在量子网络中的应用场景。

报告人简介：

丁飞，1982年出生于江苏泰兴市，德国莱布尼茨-汉诺威大学讲席教授，固体物理研究所所长（德国物理领域两位华人讲席教授之一），留德中国物理学者学会主席。研究方向为半导体材料、光学器件及其在构建量子网络中的应用，分别于2016、2022年两次获得欧洲最高荣誉研究奖项之一的ERC Grant。2003年合肥工业大学本科，2004 至2009年中科院-德国马普学会联培博士（中方王占国院士，德方诺奖得主冯克利青教授研究部），2010年加入IBM苏黎世实验室先进光子学小组，2012年加入德国莱布尼茨学会，历任研究组长/分所副所长。曾获欧盟玛丽·居里学者、IBM公司专利成就奖、IFW Excellence Program奖，指导博士论文两次获得德国教育科技部量子未来奖， 2023年起担任 Nature 杂志社 Light: Science and Applications编委以及海外办公室负责人。

地点：中国科学院物理研究所M楼236会议室

邀请人：张建军（8264 9869）

联系人：胡颖  （8264 9361）