陈根富，男，1970年12月生于安徽池州。现任中国科学院物理研究所研究员、博士生导师、超导国家重点实验室SC10研究组组长。
    一、教育背景和工作经历
    1995年毕业于西北轻工业学院（现陕西科技大学）材料科学工程系，获学士学位。1996-1998年为该系硕士研究生。1998年10月起被选为日本政府国费留学生，赴名古屋工业大学学习，于2001年和2004年从名古屋工业大学分别获得硕士与博士学位。2004-2006年，在名古屋大学任日本学术振兴会外国人特别研究员。2006-2007年，在德国马普固体化学物理所做访问学者。2007年10月回国到中科院物理所工作，2008年7月被聘为研究员。2009年3月被聘为中国人民大学物理系特聘教授，后入选教育部“长江学者奖励计划”特聘教授。
    二、研究领域和主要工作
    主要从事新型超导材料的探索与合成、高品质单晶生长和物性研究。
    近年来，在重费米子超导、铁基超导、有机超导、电荷密度波超导等新型超导材料的探索和物性研究方面，取得了一系列有重要意义的研究成果：2002 年发现了新重费米子超导体Ce2CoIn8（Tc=0.4 K）；2006年发现了重费米子体CeRhIn5常压下的体超导电性（Tc=90 mK）；2007年底在国内率先开展了LaFeAsO、CeFeAsO等铁砷材料的探索合成工作，并于2008年初继日本小组突破之后，独立发现了超导临界温度超过40 K的新铁基超导体CeFeAsO1-xFx等；2012年发现了常压下具有最高超导转变温度的新型有机超导体Kxdibenzopentacene（x=3；Tc=33 K）；在少层石墨烯中实现了超导电性（Tc=5 K）；近期发现了系列新型电荷密度波超导体PdxRETen（RE为稀土元素；x=0.08；n=2.5, 3；Tc=0.1-3 K）。迄今，在多种国际重要学术期刊上发表与合作发表论文130余篇，文章被他人引用6000余次。2009年9月，因在铁基超导研究方面的突出贡献，和国内其他七位研究人员一起荣获香港求是基金会“杰出科技成就集体奖”。为Phys. Rev. Lett.，Phys. Rev. B，J. Chem. Phys. 等国际学术期刊审稿人。